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示范指南
次位于东京工厂的研发中心负责下一代设备技术的开发。 在研发中心，我们积极与广泛的合作伙伴公司共同发展，不仅包括我们自己的发展，还与工业界，学术界和政府联盟。
我们还将在研发中心使用测试设备展示设备，性能/过程评估，样品测量等，请不要犹豫，告诉我们。
示范评估机的介绍
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磨削
DMG-6011V
- SiC、蓝宝石、GaP等的对难切削材料进行各种研磨实验
- 相应的晶片尺寸 4寸～12寸
- 不仅可以测试圆形晶片，还可以测试正方形等特殊形状的晶片
- 我们准备砥石#180～#8000
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抛光
LGP-712
- 12寸晶片对应
- 抛光测试可达200微米厚度
- 采用双轴气缸系统，修整器安装在1轴上，也可以加工中进行修整
- 我们准备各种陶瓷头，气囊头，抛光布
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抛光
MGP-15S I
- 单面研磨/抛光机
- 相应的晶片尺寸 1寸～5寸
- SiC、蓝宝石、GaP等对难切削材料进行各种研磨实验
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清洁
剥离设备（HPMJ)
- 超高压微喷清洗设备
- 相应的基板尺寸 100x100毫米～200x200毫米
- 不仅可以处理纯水，还可以处理有机溶剂
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蚀刻
狭缝涂布机
- 相应的基板尺寸 400 x 500毫米
- 可以结合旋转涂布机示范机进行狭缝和旋转工艺的实验
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蚀刻
打开类型旋转涂布机
- 相应的基板尺寸 150×150毫米 ～ 200×200毫米
- 最大旋转速度 5000rpm
- 也适用于高粘度抗蚀剂等
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蚀刻
封闭式旋转涂布机
- 相应的基板尺寸 270×270毫米 ～ 300×400毫米
- 最大旋转速度 1200rpm
- 理想的测试薄膜厚度均匀性
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烘干
热板
- 相应的基板尺寸 50×50毫米 ～ 300×400毫米
- 温度: RT ～ 200℃
- 结合涂布机的示范机，可以在涂布后进行烘烤实验
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平面度测量
Wafercom
- 相应的晶片尺寸 12寸
- 测量内容：晶片厚度，平整度，翘曲，CBIR、SBIR、SFQR
- 测量范围 770微米至1500微米
- 键合晶片和石英/玻璃晶片的测量也是可能的