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シリコンウェーハ製造プロセス

  1. スライシング
  2. べべリング
  3. 両頭研削
  4. ラッピング
  5. 精密平面研削
  6. エッチング
  7. CW(ケミカルウェーハ)検査
  8. ポリッシング
  9. 超洗浄
  10. PW(ポリッシュドウェーハ)検査

単結晶インゴットをウェーハの形状に加工していく工程です。

当社では研削・研磨、洗浄、エッチング、検査など幅広い工程に装置を提供しています。

1スライシング

単結晶インゴットをワイヤーソーなどによりウェーハにスライスしていく工程です。

2べべリング

スライスされたウェーハ1枚1枚の外周部をダイヤモンドホィールにより面取可能する工程です。

3両頭研削

スライスされたウェーハの厚さのあばらつきやムラを小さくするため、ウェーハの両面を研磨する工程です。

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4ラッピング

ウェーハの平行度を改善し、厚さを均一化するため、粗研磨(ラッピング)する工程です。

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5精密平面研削

専用の砥石を使って、ウェーハの平行度の改善と厚さの均一化を図る工程です。

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6エッチング

ウェーハ表面上の機械加工のダメージや、ウェーハ表面に付着したパーティクル(付着ゴミ)を科学的方法により表面をエッチングする工程です。

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7CW(ケミカルウェーハ)検査

エッチング後のケミカルウェーハのピンホールや表面のキズ、ムラなどを画像処理技術を検査する工程です。

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8ポリッシング

メカノケミカル研磨方式により、ウェーハ表面の凹凸をなくし、鏡面仕上げを行う工程です。

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9超洗浄

いかなる付着物もないウェーハに仕上げるため、クリーンルーム内でファイナルを行う工程です。

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10PW(ポリッシュドウェーハ)検査

完成したポリッシュドウエハーの端面を中心にカケやキズなどを画像処理技術を使って検査する工程です。

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