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실리콘 Wafer 제조 프로세스

  1. スライシング
  2. べべリング
  3. 両頭研削
  4. ラッピング
  5. 精密平面研削
  6. エッチング
  7. CW(ケミカルウェーハ)検査
  8. ポリッシング
  9. 超洗浄
  10. PW(ポリッシュドウェーハ)検査

단결정 ingot을 웨이퍼 형상에 가공하는 공정입니다. 당사에서는 연삭・연마, 세정, 에칭, 검사 등 폭넓은 공정에 장비를 제공하고 있습니다.

1Slicing

단결정 ingot을 Wire saws 등으로 Wafer를 슬라이스 하는 공정입니다.

2Beveling

슬라이스 된 Wafer 1매 1매의 주변부를 다이아몬드 휠로 chamfering하는 공정입니다.

3양두연삭 슬라이스 된 Wafer

두께의 불규칙이나 얼룩(무라)을 감소시키기 위해서 Wafer 양면을 연마하는 공정입니다.

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4래핑

Wafer 평행도를 개선하여, 두께를 균일하게 하기 위하여 거친 연마(래핑)를 하는 공정입니다.

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5정밀평면연삭

전용 숫돌을 사용하여 Wafer의 평행도 개선과 두께 균일화를 도모하는 공정입니다.

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6에칭

Wafer 표면상의 기계가공 손상이나 Wafer 표면에 부착한 파티클을 과학적 방법으로 표면 에칭하는 공정입니다.

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7⑦ 케미컬 Wafer 검사

에칭 후 케미컬 Wafer의 핀볼이나 표면의 상처, 얼룩(무라) 등을 화상처리기술로 검사하는 공정입니다.

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8Polishing

Mechanochemical연마방식으로 Wafer 표면의 요철(오목 볼록)을 없애고 경면 마무리를 하는 공정입니다.

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9파이널 세정

어떤 부착물도 없는 Wafer로 마무리하기 위해 클린룸 안에서 파이널을 하는 공정입니다.

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10⑩ Polished Wafer 검사

완성한 Polished Wafer의 단면을 중심으로 깨짐이나 상처 등을 화상처리기술을 사용하여 검사하는 공정입니다.

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