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硅晶片制造工艺

  1. 切片
  2. Beveling
  3. 双头磨削
  4. 研磨
  5. 精密平面磨削
  6. 蚀刻
  7. 化学晶片检查
  8. 抛光
  9. 最后清洗
  10. PW(ポリッシュドウェーハ)検査

这是将单晶锭加工成晶片形状的工艺。我们为各种提供设备,包括研磨/抛光,清洁,蚀刻和检查。

1切片

这是用线锯等将单晶锭切成晶片的工艺。

2Beveling

这是一个用金刚石砂轮倒角一个切片晶片的外围的工艺。

3双头磨削

这是对晶片两面进行抛光的过程,以减少切片晶片厚度的变化和不均匀性。

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4研磨

为了提高晶片的平行度并使厚度均匀,这是粗抛光的工艺。

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5精密平面磨削

这是通过使用专用磨石来改善晶片的平行度并使厚度均匀的工艺。

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6蚀刻

这是通过科学的方法对晶片表面进行机械损伤和附着在晶片表面上的颗粒来蚀刻表面的工艺。

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7化学晶片检查

这是在蚀刻之后检查针孔的图像处理技术,化学晶片表面上的划伤,不平坦等等的工艺。

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8抛光

这是通过机械化学抛光方法消除晶片表面上的不规则性并进行镜面抛光的工艺。

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9最后清洗

为了完成一个没有任何沉积物的晶片,这是在无尘室进行最后的工艺。

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10抛光晶片检查

这是使用图像处理技术检查成品抛光晶片的端面周围的芯片和划痕的工艺。

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